Эта методика трансмиссионной микроскопии может быть использована в отчете или иной работе.

Наиболее детальная информация о структуре металла может быть получена с помощью трансмиссионной электронной микроскопии. Развитие теории формирования изображения в электронном микроскопе открывает большие возможности правильной интерпретации изображений, получаемых при исследовании распада пересыщенных твердых растворов и дефектов кристаллической структуры.
Изображение в электронном микроскопе формируется, в основном, вследствие дифракции электронов на кристаллической решетке металла или на дефектах этой решетки и рассматривается кинематической и динамической теориями рассеяния. Достаточно полное описание формирования изображения в электронном микроскопе приведено в [1 с.98; 2; 3 с.228; 5 с.28-31].

Индицирование картины микродифракции (КМД). Определение оси зоны отражающих плоскостей.

Картину микродифракции можно рассматривать как практически неискаженную проекцию некоторого сечения обратной решетки на плоскость экрана в масштабе, определяемом эффективной длиной прибора или дифракции. Ориентация отражающих плоскостей относительно электронного пучка определится, если установлена ось зоны КМД – направление в кристалле, по которому пересекаются все отражающие плоскости, параллельное электронному пучку. Из геометрических условий формирования микроэлектронограммы следует [3 с.183]:

tg2=R/L,                                                                                                                    (1)

где R- расстояние от центра до рефлекса на КМД; L – дифракционная длина прибора;  - угол падения электронного луча.
В соответствии с уравнением Вульфа-Брэггов при n=1:

=2dsin.                                                                                                                     (2)

При   2^о и tg2 = 2sin из соотношений (1) и (2) следует:

Rd = L .                                                                                                                     (3)

L носит название постоянной прибора и определяется на эталонном образце, кристаллическая структура которого известна. Операция индицирования КМД может быть проведена сравнением полученной КМД с эталонными схемами, оси зон которых известны. Правильность выбора проверяется: а) измерением углов между радиус-векторами соответствующих рефлексов; в) проверкой соотношения:

                                                                                               (4)

Индексы оси зоны определяются из уравнения:

[uvw]=[k₁l₂-l₁k₂, l₁h₂-h₁l₂, h₁k₂-k₁h₂] .                                                                                       (5)

При этом справедливо соотношение:

hu + к + lw = 0 .                                                                                                         (6)

Оценка разориентировки фрагментов субструктуры.

Взаимная разориентировка двух фрагментов зеренной структуры может быть определена как векторная сумма двух составляющих: азимутальной α и горизонтальной ws, на которые можно условно разделить поворот одного фрагмента структуры относительно другого, чтобы привести их к одной кристаллографической ориентировке [5 с.28-31]:

                                                                                 (7)

Если на КМД отдельные фрагменты дают отдельные рефлексы, расстояние между которыми равно а, то

                                                                                              (8)

Азимутальная составляющая угла разориентировки достаточно объективно характеризует полный угол разориентировки фрагментов [3 с.228].
Если в структуре присутствуют фрагменты, имеющие различные оси зон и , то разориентировка таких фрагментов вычисляется из соотношения:

                                                                     (9)

1. Хирш П., Хови А. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир.-1968. - 574с.
2. М.П.Усиков, Л.М.Утевский. Прямое наблюдение дислокаций с частицами второй фазы. Заводская лаборатория.-1963. - Т.29. - №8. - С.944-948.
3. Утевский Л.М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. -М.: Металлургия.-1973. - 583с.
4. Томас Г. Электронная микроскопия.- М.:Металлургиздат.- 1963. - 351с.
5. Васильева Л.А., Малашенко Л.М., Тофпенец Р.Л. Электронная микроскопия в металловедении цветных металлов. Справочник. -Минск: Наука и техника.-1989. - 208с.